GaN材料MOSFET管測試對(duì)高帶寬高壓差分探頭要求

　　GaN材料主要應(yīng)用于偏低壓應(yīng)用例如800V以下的應(yīng)用，像高功率密度DC/DC電源的40V-200V增強(qiáng)性高電子遷移率異質(zhì)節(jié)晶體管(HEMT)和600V HEMT混合串聯(lián)開關(guān)。當(dāng)然現(xiàn)在也有800V以上的一些應(yīng)用也是用GaN材料的。在這些應(yīng)用中需要選用高壓差分探頭進(jìn)行測試。

　　SiC材料測試中高溫測試需求增多，需要寬溫度范圍的探頭。

　　SiC材料主要偏向高壓的應(yīng)用。因其具有承受高溫(300℃左右溫度是沒有問題的)的特點(diǎn)主要應(yīng)用場景是在汽車和光伏逆變器等領(lǐng)域。這些器件的應(yīng)用會(huì)對(duì)整個(gè)電源系統(tǒng)有很大的改進(jìn)。

　　綜上所訴，針對(duì)寬禁帶材料功率器件的測試，我們需要的是包括示波器、示波器探頭以及測試軟件的一套完整的測試系統(tǒng)。其中，對(duì)示波器探頭的具體要求如下：

　　01電氣性能符合要求-帶寬、輸入電壓范圍(單端還是差分)、低噪聲、高輸入阻抗以及高共模抑制比;

　　02探頭前端滿足規(guī)范要求;

　　03探頭易用性;

　　04探頭有沒有過載保護(hù);

　　05溫度范圍滿足規(guī)范要求，例如汽車測試需要在85℃左右;

　　06高共模抑制比，防止共模信號(hào)對(duì)輸出有影響;

　　對(duì)于電源工程師來說，除了器件本身的測試之外，更關(guān)注器件在電路板中的性能，例如器件在工作過程中Vds電壓以及損耗。器件損耗的原因主要有兩個(gè)方面：(1)耐壓擊穿;(2)損耗。在測試過程中需要注意的幾個(gè)問題是：

　　器件損耗測試注意的問題

　　除了以上提到的問題，浮地測量時(shí)地的選取以及不能和損耗&SOA同時(shí)測試也是需要我們注意的問題。

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